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IGZOを超える「有機半導体」

EETimesに「IGZOを超える「有機半導体」、分子設計からトランジスタまで日本発の新技術」という記事があったので紹介します。

http://eetimes.jp/ee/articles/1504/10/news140.html

要約すると以下です。

・東京工業大学の半那先生が、有機トランジスタで酸化物半導体(IGZO)並みの10cm2/Vsという値のものを作製した。
・この値は材料として多結晶体であり、実用的である。
・ボトムゲートであり、プリンテッド・エレクトロニクスに利用可能である。
・今回開発した有機半導体デバイスは200℃、5分間に加熱後、室温に戻すと、3cm2/Vsを超える移動度を示した。(耐熱性が十分にある)

有機半導体で移動度が10を超えるものができるとは、素晴らしいと思いました!!!


少し批判的/辛口な私見です。
耐熱性のグラフを見ると、200度加熱で移動度が低下しています。ここは、今後かなりの問題になる気がします。有機材料なのでこの部分の解決にはかなり時間がかかるかもしれません。
私はプリンテッドエレクトロニクスの出口があまり無いような気がしています。印刷で何かデバイスができるとしても、微細化は厳しく、IIDタグや簡単なセンサになる気がします。センサにしても制御用のICが必要となりますから、そこは半導体チップが必要な気がします。
コストは印刷だと安いという見方もできますが、大量に生産するにはそれなりの装置が必要となること、またすべてのプロセスを印刷だけで行うのは厳しそうな気がし、一部従来の半導体プロセスが入るようだとコスト的に厳しい気がします。
フレキシブルデバイスができるという話もありますが、フレキシブルなデバイスのニーズがはっきりしていません。
少し曲がるディスプレイであれば、既存のプロセスや、微小チップの埋め込みで達成できそうですし・・・。

というわけで、実用化するにはもう少し時間がかかりそうな気がしています。
どうなんでしょうね???

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